Генерационно-рекомбинационные процессы в фотоэлектрических наногетероструктурах с прямозонной промежуточной подзоной

6 июня, 2017 - 12:05

Генерационно-рекомбинационные процессы в фотоэлектрических наногетероструктурах с прямозонной промежуточной подзоной / С. Н. Чеботарев, [и др.] // Вестник Северо-Кавказского федерального университета. ‒ 2017. ‒ № 1 (58). ‒ С. 13-20.

В статье предложена модель для исследования генерационно-рекомбинационных процессов в фотоэлектрических наноструктурах с промежуточной подзоной, позволяющая рассчитать их функциональные характеристики и эффективность преобразования солнечного излучения. Экспериментально выращены фотонаноструктуры с внедренными квантовыми точками InAs / GaAs. Показано, что представленная модель адекватно описывает экспериментальный эффект повышения тока короткого замыкания, достигаемого дополнительным поглощением ИК-фотонов.